中國自研光刻機「羲之」亮相，精度接近 ASML EUV，但量產仍是挑戰
- 騰云機械工業
- 8月25日
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中國浙江大學余杭量子研究院近期展示了國產電子束曝光機「羲之」，其定位精度達 0.6 奈米，接近荷蘭 ASML 的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）標準，並且售價低於國際同類設備。然而，「羲之」採用逐點書寫方式（point-by-point writing），每次曝光需逐一描繪，導致生產效率遠低於 EUV 系統，限制了其在大規模晶圓生產中的應用。
該設備主要定位於量子芯片和先進製程的研究領域，尚未進入量產階段。中國在美國出口管制下，無法取得先進的 EUV 設備，迫使本土企業尋求替代方案。此前，哈爾濱團隊已研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光源的 LDP 技術，並在華為東莞工廠進行測試，預計最快於第三季展開試產。
儘管「羲之」在精度上取得突破，但要實現量產仍面臨技術和成本挑戰。中國正積極投入資源，期望在 2026 年實現 EUV 光刻機的量產，減少對外國技術的依賴。
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