高層數堆疊 NAND 市場與技術都有挑戰，三星延後投資 V10 NAND
- 騰云機械工業
- 2025年6月24日
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三星原本計畫在 2025 年下半年啟動其第 10 代 V10 NAND Flash（約 430 層堆疊結構）的大規模量產投資，這被視為下一代儲存技術的重要里程碑，將為資料中心和 AI 應用帶來高密度解決方案TechNews 科技新報。但因面臨多重挑戰，這項計畫已延後到 2026 年上半年才有望啟動TechNews 科技新報。
延後原因主要包括：市場對高層數 NAND 的需求仍不穩定、投資成本高昂，以及製程技術尚未成熟等因素TechNews 科技新報news.52solution.com。其中蝕刻技術挑戰尤為突出：V10 NAND 所需的超冷蝕刻工藝必須在攝氏 –60°C 至 –70°C 環境下運行，以達到極高精度，但現有設備難以支持大規模量產TechNews 科技新報news.52solution.com。
為解決此一瓶頸，三星正與主要設備供應商（如美國 Lam Research 和日本 TOKYO ELECTRON）合作，希望調整蝕刻溫度並重新評估設備，但整體評估與投資時間點仍推遲至 2026 年初TechNews 科技新報news.52solution.com。
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